بررسی حالت مقید الکترون در گرافین تک لایه گاف دار

در گرافین، الکترون های رسانش شبیه ذرات نسبیتی بدون جرم دیراک با یک خاصیت کایرال رفتار می کنند. به همین دلیل، مقید کردن الکترون ها در گرافین به شکل هندسه های نقطه کوانتومی ناممکن است. در گرافین بدون گاف، به دلیل طیف الکترونی منحصر به فرد آن، رسانش الکتریکی در نقطه? دیراک دارای یک کمینه است. این موضوع استفاده از ماده فوق را در قطعات الکترونیکی دشوار کرده است. یکی از روش های غلبه بر این مشکل، ایجاد گاف در طیف انرژی گرافین می باشد که با شکست تقارن وارونی (تقارن زیر شبکه ها) به وجود می آید. فاز بری الکترون ها همزمان با شکست تقارن وارونی تغییر می کند و اثرات نابهنجار این تغییر در ترابرد الکترونی این ماده دارای اهمیتی ویژه می شود.هدف این تحقیق بررسی حالت های مقید الکترون ها می باشد. با حل معادله دیراک بدون گاف در ناحیه ای محدود و همچنین حل معادله? دیراک گاف دار در بیرون از چنین ناحیه ای، حالت های مقید با انرژی های مجاز ممکن مورد بررسی قرار خواهد گرفت. یافته ها نشان می دهد حالت های مقید الکترون ها با پتانسیلی خاص به وجود می آید و شکل حالت های مقید به اندازه و علامت پتانسیل وابسته است. به خاطر وجود گافی متناهی، عدم تقارنی در وادی های مختلف دیده می شود. لازم به ذکر است که پیدایش حالت های مقید الکترون ها در گرافین در ساخت نقاط کوانتومی گرافینی دارای اهمیت است.